ОСОБЕННОСТЬ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СВОЙСТВ КРЕМНИЯ С НАНОКЛАСТЕРАМИ АТОМОВ МАРГАНЦА ДЛЯ ФОТОЭЛЕМЕНТОВ

Authors

  • Ш.Н. Ибодуллаев Ташкентский государственный технический университет
  • А.А. Турахужаэв Коканский филиал Ташкентского государственного технического университета
  • Х.И. Хайруллаева Ташкентский государственный технический университет

Keywords:

кремний, кластер марганца, фоточувствительность

Abstract

Показано, что кремний с нанокластерами атомов марганца p-типа обладает высокой примесной фотопроводимостью в области =1,5 – 2 мкм. Определены оптимальные электрические параметры материала, в котором наблюдается аномально большая фоточувствительность, сравнимая с собственной, в области =1,5 – 2 мкм. Даже при достаточно высоких температурах (T=300 K), материал обладает достаточной высокой фоточувствительностью в области =1,7–1 мкм, позволяя создать высокочувствительные фотоприемники на его основе.

 

Author Biographies

Ш.Н. Ибодуллаев, Ташкентский государственный технический университет

 

 

А.А. Турахужаэв, Коканский филиал Ташкентского государственного технического университета

 

 

Х.И. Хайруллаева , Ташкентский государственный технический университет

 

 

Downloads

Published

2023-05-20

How to Cite

Ибодуллаев, Ш., Турахужаэв, А., & Хайруллаева , Х. (2023). ОСОБЕННОСТЬ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СВОЙСТВ КРЕМНИЯ С НАНОКЛАСТЕРАМИ АТОМОВ МАРГАНЦА ДЛЯ ФОТОЭЛЕМЕНТОВ. JIZPI XABARNOMASI, 1(1), 67–69. Retrieved from https://jurnal.jizpi.uz/index.php/JOURNAL/article/view/9