ОСОБЕННОСТЬ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СВОЙСТВ КРЕМНИЯ С НАНОКЛАСТЕРАМИ АТОМОВ МАРГАНЦА ДЛЯ ФОТОЭЛЕМЕНТОВ

Abstract

Показано, что кремний с нанокластерами атомов марганца p-типа обладает высокой примесной фотопроводимостью в области =1,5 – 2 мкм. Определены оптимальные электрические параметры материала, в котором наблюдается аномально большая фоточувствительность, сравнимая с собственной, в области =1,5 – 2 мкм. Даже при достаточно высоких температурах (T=300 K), материал обладает достаточной высокой фоточувствительностью в области =1,7–1 мкм, позволяя создать высокочувствительные фотоприемники на его основе.