ЭЛЕКТРОННАЯ СТРУКТУРА И СВОЙСТВА НАНОРАЗМЕРНЫХ СТРУКТУР СОЗДАННЫХ НА ПОВЕРХНОСТИ СВОБОДНОЙ ПЛЕНОЧНОЙ СИСТЕМЫ Si/Cu
Keywords:
наноструктура, свободная пленка, электронный переход, ионная имплантация, нанопленка,, плазменные колебанияAbstract
Методом низкоэнергетической (Е0=1-5 кэВ) имплантации ионов О2+, Ва+, Cu+ и Со+ с последующим отжигом на поверхности свободной нанопленочной системы Si/Cu(100) получены нанофазы и пленки SiO2 и силицидов металлов. Определены их морфология поверхности, состав, параметры энергетических зон, максимальная значения коэффициента вторичной электронной эмиссии, квантовый выход фотоэлектронов. В частности показано, что щирина запрещенной зоны силицидов металлов составляет 0.3-0.4 эВ, а их удельное сопротивления - 100-500 мкОм×см
References
Umirzakov B. E., Ruzibaeva M. K., Isakhanov Z. A. and Erkulov R. M. // ISSN 1063-7842, Technical Physics, 2019, Vol. 64, No. 6, pp. 887–889.
2. Isakhanov Z.A., Kosimov I.O., Umirzakov B.E. and Erkulov R.M. // Technical Physics, 2020, Vol. 65, No. 1, pp. 114–117. © Pleiades Publishing, Ltd., 2020.
3. Isakhanov Z.A., Mukhtarov Z.E., Umirzakov B.E., Ruzibaeva M.K. // Technical Physics, V.56, Issue 4, April 2011. P. 546-549.
4. А.А. Алиев, З.А. Исаханов «Характеристические потери энергии электронами при отражении и прохождении через тонкие слои кристаллов». Изв. АН УзССР, сер. физ.-мат. наук, №5, С.82-85, 1987.
5. З.А. Исаханов, Б.Е. Умирзаков, Т. Кодиров, А.С. Халматов, Ё.С. Эргашов, Патент “Способ получения свободной многослойной наноплёнки кремний-силицид-металл” №18145, IAP 20150434, 23.11.2018.
6. А.А. Алиев, Х.А. Арипов «Угловое и энергетическое распределение ионов, прошедших через монокристаллические пленки металлов». Журн. “Радиотехника и электроника ”, вып. 10, С. 2014-2020, 1983.
7. Б.Е. Умирзаков, З.А. Исаханов, М.К. Рузибаева, З.Э. Мухтаров, А.С. Холматов “Изучения профилей распределения атомов по глубине свободных нанопленочных систем типа Si – Me” / ЖТФ, Т. 85, вып.4. С.123–125, 2015.
