ИЗУЧЕНИЕ СТРУКТУРЫ КЛАСТЕРА АТОМОВ ГАДОЛИНИЯ В КРЕМНИЕВЫХ ТЕМПЕРАТУРНЫХ ДАТЧИКАХ
Keywords:
гадолиний, технология, кластер, эрозия, низкотемпературная диффузия, легирование,, термостойкость, деградацияAbstract
Разработана технология поэтапной низкотемпературной диффузии гадолиния в кремний, позволяющая создать кластеры примесных атомов распределенных по всему объему материала. Показано, что в отличие от образцов, полученных высокотемпературным диффузионным легированием, в образцах полученных по новой технологии отсутствует эрозия поверхности, образование сплавов и силицидов в приповерхностной области. Установлена повышенная термо- и радиационная стойкость образцов кремния содержащих кластеры примесных атомов гадолиния.
References
. Суздалев И.П. Нанотехнология:физико-химия нанокластеров, наноструктур и наноматериалов. М.Ком Книга,2006. 592с.
2. Bakhadyrhanov M. K., Sodikov U. X., Melibayev D., Wumaier Tuerdi, Koveshnikov S. V., Khodjanepesov K. A., Jiangxiang Zhan Silicon with Clusters of Impurity Atoms as a Novel Material for Optoelectronics and Photovoltaic Energetics // Journal of Materials Science and Chemical Engineering, 2018, 6, 180-190.
3. Баграев Н.Г.,Романов В.В. Магнетизм кристаллов АIIIВV, легированных редкими элементами. ФТП, 2005, Т.39, в.10, стр.1173-1182.
4. Абдурахманов Б.А., Эгамбердиев Б.Э., Илиев Х.М., Тачилин С.А., Тошев А.Р. «Влияние микрогетеропереходов кремний - германий на параметры кремниевых солнечных элементов» // Журнал «Электронная обработка материалов», Молдавия, 2010, № 5, с. 124-126.
5. Egamberdiev B.E., Iliev Kh.M., Nasriddinov S.S., Toshev A.R., Zoirova M.E. Photoelectric properties of silicon-based solar cells implanted with rare earth elements. //Conference. Russia, Vladivostok, 2006. РР. 204-208.
6. Бахадырханов М.К., Илиев Х.М., Хамидов А., Тошев А.Р. «Деградационные свойства кремниевых солнечных элементов с редкоземельными примесями» // Гелиотехника 2002 г., №3, стр. 19-22.
7. Эгамбердиев Б.Э., Илиев Х.М., Тачилин С.А., Тошев А.Р. «Радиационная стабильность кремниевых солнечных элементов легированных гольмием»// XI Международной конференции «Физика твердого тела» Усть-Каменогорск, Казахстан, 9-12 июня 2010 г.
8. Далиев Х.С., Дехканов М.Ш., Эруглиев У.К., Норкулов Ш.Б., Эргашев Ж.А. Емкостная спектроскопия дефектов в кремнии, легированном атомами гадолиния // Физика полупроводников и микроэлектроника. 1 (01). 2019. С. 15-17.
9. Далиев Х.С., Утамурадова Ш.Б., Далиев Ш.Х., Дехканов М.Ш., Норкулов Ш.Б. О влиянии диспрозия на процессы радиационного дефектообразования в кремнии // Uzbek Journal of Physics. Vol. 20 (№2). 2018. pp. 131-133.
10. Аюпов К.С., Бобонов Д.Т., Зикриллаев Н.Ф., Сапарниязова З.М., Тошев А. низкотемпературная диффузия примесей в кремнии // Доклады АН РУз. – Ташкент, 2010. – № 4.– С. 34-38.
